Автоматичната индустрия ще се възползва много от кода за корекция на грешки на DDR5 DRAM, казва Hynix

DDR5 памет за включване на ECC, което го прави по-надежден вариант за автомобилната индустрия | Източник: Korea Herald

DDR5 DRAM се разработват от доста време насам. Докато се приближаваме към изданието, бавно научаваме повече за петото поколение DDR DRAM. Днес беше разкрито, че DDR5 DRAM ще бъде по-надеждно решение за автомобилната памет. Това се дължи на две причини. На първо място, имаме по-високи скорости на предаване на данни. Второ, имаме код за коригиране на грешки (ECC), който вече ще бъде вграден в чипа.

DDR5 DRAM - следващото новаторско нещо?

Като Корейски вестник съобщава, „Кодът за коригиране на грешки, известен като ECC, самостоятелно открива и извлича грешки при трансфера на данни, които вече са вградени в чипа, каза Ким Донг-кюн, научен сътрудник по дизайн на DRAM в SK hynix, вторият по големина производител на чипове за памет в света . Такъв протокол за проверка на грешки е от решаващо значение за бъдещето на автомобилната памет, която прехвърля и обработва огромно количество данни в мозъка на самоуправляваща се кола ”. За тези, които не са наясно, корекцията на грешки включва защита срещу меки грешки с помощта на ECC. Те обикновено се използват в критично важни приложения, като научни изчисления и други неща.

Наблягайки на важността на качеството в автомобилите, Ким казва, че е необходимо DRAM да имат ECC. Освен това той добавя, че приетата от тях ECC ще го направи много по-надежден вариант за автомобилната индустрия. Докато Ким акцентира само върху автомобилната индустрия, ECC ще се възползва и от много други сектори. Два от основните сектори, които ще се възползват от него, ще бъдат анализа на големи данни и индустрията на AI. Ако се чудите колко по-бързо ще бъде DDR5 над DDR4, това е около 60 процента.

Очаква се търсенето на DDR5 DRAM през следващите години. Според IDC DDR5 ще представлява 25% от пазарния дял през 2021 г. и 44% през 2022 г. Скоростта на DRAM ще бъде допълнително увеличена до 6,4 гигабита в секунда от 5,4 гигабита в секунда до 2022 г. Междувременно Ким също добави, че шестият генерирането на DRAM също е в процес на разработка. Предвижда се тя да бъде разработена за около 5 до 6 години.